記憶體封測廠力成（6239）今日召開法說會，
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，展望DRAM、FLASH、邏輯等產業後市，
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，力成總經理洪嘉鍮指出，
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，隨著庫存去化接近尾聲、終端設備容載量持續提升，
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，無論是報價及需求來看，
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，第三季DRAM、FLASH及邏輯市場的整體展望均相當正面。洪嘉鍮指出，
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，由於DRAM價格首季明顯下滑，
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，全球三大廠均減少標準型記憶體產能，轉而生產行動記憶體，雖然今年上半年庫存水位高，但目前已去化得差不多，近2個月供應吃緊，帶動市場合約價格持續上揚。而行動記憶體容載量也持續提升，洪嘉鍮表示，雖然上半年全球手機需求不佳，但中國市場需求不錯。由於蘋果iPhone 7的容載量預計將自2GB提升至3GB，Android手機則可能自4GB提升到6GB，隨著終端容載量增加，使記憶體堆疊量增加，進而帶動封測需求量。此外，伺服器產品線由於需求量大且單價高，無論是邏輯或記憶體，都是各廠商的兵家必爭之地，預期伺服器記憶體容載量將提升至110GB左右。而應用廣泛的利基型記憶體，目前低容量DRAM嚴重短缺，使力成的重分布製程凸塊（RDL Bumping）產能自2月起持續滿載，現在看來可能一路滿到9月。而FLASH第三季產能同樣呈現吃緊狀態。洪嘉鍮指出，高階手機使用的MCP/MMC容載量增加，主要由於過去蘋果手機以64GB為主力，但iPhone 7會以128G為主，容載量提升將增加對NAND FLASH的需求。洪嘉鍮表示，近期NAND FLASH及MicroSD價格的提升，就是受到需求帶動，而高速SSD除了使用於資料中心外，如簡便型電腦等其他應用也陸續增加，加上製程技術主力轉進15奈米，看好NAND FLASH將是未來帶動成長的重要動力。邏輯業務方面，目前晶圓廠對行動設備的產能吃緊，且終端產品需求將在下半年出現季節性回溫，第三季展望也相當不錯。洪嘉鍮表示，整體而言，包括DRAM、FLASH、邏輯等類型的第三季大環境展望均相當正面，將有助於力成的第三季營運表現。(時報資訊)，