聯電與IBM昨（13）日共同宣布，
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，聯電將加入IBM技術開發聯盟共同開發10nm(奈米）CMOS製程技術。
聯電表示，
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，將指派工程團隊加入位於美國紐約州阿爾巴尼（Albany，
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， New York）的10奈米研發計畫，
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，而聯電14奈米FinFET與10奈米未來的製造，
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，則將於聯電台灣南科的研發中心進行。
聯電進一步說明，
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，兩家公司此次的協議，
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，拓展了雙方於2012年簽訂之14奈米FinFET合作協議。而擁有IBM的支援與know-how，
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，聯電將可持續提升其內部自行研發的14奈米FinFET技術，針對行動運算與通訊產品，提供富競爭力的低耗電優化技術。雙方計畫開發10奈米製程基礎技術，以滿足聯電客戶的需求。
IBM半導體研發副總Gary Patton表示，IBM聯盟成立至今已逾十年，聯盟夥伴可整合運用其專業知識，團隊研究合作與創新的技術研發，藉此滿足對先進半導體應用產品與日俱增的需求。而聯電的加入，將使聯盟的實力更加強大。
聯電執行長顏博文則表示，IBM為眾所公認的半導體技術領導者。聯電十分高興能與IBM在先進製程領域攜手合作，貢獻聯電多年來開發高競爭力製造技術所累積的經驗。身為世界頂尖的晶圓專工廠之一，聯電肩負著適時推出尖端製程，以實現客戶次世代晶片設計的使命與承諾，公司十分期待與IBM密切合作，借重其深厚的技術專業，來縮短10奈米與FinFET的研發週期。，