力旺宣布在55奈米超低功耗製程平台推出進階版NeoFuse矽智財並完成特性規格驗證，
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，強攻物聯網在低功耗與安全防護的應用需求，
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，已獲得客戶採用於產品設計，
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，並準備進入試產階段。(涂志豪攝)
嵌入式非揮發性矽智財（eNVM IP）供應商力旺電子（3529）公告第一季合併營收3.20億元，
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，順利創下歷史新高，
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，法人樂觀預估單季每股淨利有機會超過2元。力旺繼完成16奈米矽智財後，昨（7）日宣布在55奈米超低功耗製程平台推出進階版NeoFuse矽智財並完成特性規格驗證，強攻物聯網在低功耗與安全防護的應用需求，已獲得客戶採用於產品設計，並準備進入試產階段。第一季是矽智財營收認列淡季，但力旺去年下半年成功擴大eNVM IP在各領域的應用，並已進入量產投片階段，也因此，力旺公告三月營收4，563萬元，較去年同期大增65.8％，第一季合併營收季增6.3％達3.20億元，創下歷史新高，與去年同期相較亦大幅成長23.7％。法人推估，力旺第一季每股淨利可望賺逾2元，力旺則不評論法人預估財務數字。力旺昨日宣布在55奈米超低功耗製程平台推出進階版NeoFuse矽智財並完成特性規格驗證，強攻物聯網在低功耗與安全防護的應用需求。力旺表示，進階版NeoFuse矽智財擁有低電壓操作、矽智財面積最佳化與內建電荷幫浦（Charge Pumping）線路優勢，能協助客戶在電池供電及物聯網應用產品的設計上提升線路設計靈活性與晶片整合度，更進一步達到最佳能耗表現。此外，其獨特的密碼金鑰與隨機編碼產生（Random Seed Generation）功能，更能為物聯網應用產品打造安全的資料傳送環境，進而提升客戶產品附加價值，強化市場競爭力。建構於55奈米超低功耗製程平台的進階版NeoFuse矽智財，具備0.9伏超低讀取電壓的特性，使得系統晶片得以在功能啟動的最初階段即完成參數的設定與資料的讀取。除此之外，此解決方案僅須增加微幅的面積，即可嵌入內建電荷幫浦線路，提供在編程模式（Programming Mode）下寫入資料所需要的高電壓。在不需要考慮提供高電壓的情況下，客戶採用嵌入式非揮發性記憶體解決方案的步驟得以簡化，進而加速產品開發，取得市場先機。為滿足物聯網產品的應用需求，超低功耗製程平台上的嵌入式邏輯非揮發性記憶體解決方案將朝向寬幅的工作電壓區間、以及在有限增幅面積下納入更多內建功能的趨勢發展。力旺矽智財布局與市場脈動緊密連結，於已佈建NeoFuse技術的各製程平台上提供進階版NeoFuse矽智財，為物聯網相關應用客戶提供兼顧能耗、效能與安全防護的最佳解決方案。力旺去年合併營收年增8.8％達10.92億元，營業利益年增12.3％達5.21億元，營益率高達47.7％，歸屬母公司稅後淨利4.79億元，年增14.3％，每股淨利6.32元。也就是說，力旺去年的合併營收、營業利益、營益率、稅後淨利、每股淨利等重要財務數字均同創歷史新高。力旺董事會亦決議今年將配發6元現金股利。(工商即時)，